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General
Tipo de dispositivo Unidad en estado sólido - interno
Capacidad 960 GB
Tipo de meoria flash NAND 3D triple-level cell (TLC)
Factor de forma 2.5" SFF
Interfaz PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Características Dual Port,protección de datos completa,T10 Data Integrity Field (DIF),Read-Intensive Endurance,Enterprise,Protección contra la pérdida de potencia (PLP),64-layer 3D BiCS FLASH,NVM Express (NVMe) 1.3a
Anchura 69.85 mm
Profundidad 100.45 mm
Altura 15 mm
Peso 130 g
Prestación
Escrituras en unidad por día (DWPD) 1
Tasa de datos internos 3250 MBps (lectura)/ 1250 MBps (escritura)
Lectura aleatoria 4KB 370000 IOPS
Escritura aleatoria 4KB 50000 IOPS
Fiabilidad
MTBF (tiempo medio entre errores) 2,500,000 horas
Expansión y conectividad
Interfaces 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Bahía compatible 2.5" SFF
Alimentación
Consumo de energía 6 vatios (típico)
Garantía del fabricante
Servicio y mantenimiento Garantía limitada - 5 años
Parámetros de entorno
Temperatura mínima de funcionamiento 0 °C
Temperatura máxima de funcionamiento 60 °C
Ámbito de humedad de funcionamiento 5 - 95%
Tolerancia a golpes (operativo) 1000 g @ 0,5 ms
Tolerancia a las vibraciones (operativo) 2.17 g @ 5-800 Hz
